据 NB 业者指出， VIA 将会于 2009 年推出全新的 VIA Nano 3000 系列及 VIA Nano Dual Core 处理器，令效能可提升 1 至 2 倍，其中强化版本 VIA Nano 3000 工程样本将会于 2009 年第一季完成，预计 2009 年第三季正式量产，双核版本预计于 2009 年下半年前推出工程样本，上市时间未定。

据了解，强化版本的 VIA Nano 3000 处理器仍然採用 65 nm 制程并由日本富士通代工，基本规格大致上与 VIA Nano 1000/2000 处理器相同，支援最新 1333MHz V4 Bus 、支援 64Bit 指令、内建 1MB L2 Cache ，但 Nano 3000 将会改良部份微架构设计令效能进一步提升，并加入了全新 SSE4 指令集支援。

此外， Nano 3000 将会重点强化整数及浮点运算能力，同时改良 L1 、 L2 Cache 的效率，儘管 Nano 3000 处理器仍採用 65 nm 制程，但 VIA 向业者指出，由于工艺进一步成熟及制程微调， VIA Nano 3000 功耗表现相比 Nano 1000/2000 将有显着改善。

据市场机调 DRAMeXchange 表示， DDR2 667Mhz 1Gb 价格在 10 月底跌破现金成本 1 美元后，仍缓跌至 0.6 美元，来到厂商的材料成本，令 DRAM 厂在不堪亏损下，减产幅度愈来愈大，第四季台湾厂商 12 吋约当产能已减产近 30% ，韩系厂商在海力士停掉 8 吋产能后，十二月再减 12 吋产能约 20% ，即使三星未减产，韩系厂商总产能在第四季仍减少 16% ，加上适逢台湾农曆过年，台系 DRAM 厂甚至延长休假至 2 周，明年第一季现货价可望回升至 1 美元水平。

据 DRAMeXchange 表示，预估 DRAM 第一季产能持续下降，产效应持续发酵，明年一月至三月全球产出持续负成长，在全球经济不景气加上个人电脑第一季销售下降下， DRAM 合约价仅可望落底，上涨动能较弱，只有现货价有机会在新年前出现回温。

上週 (12/16-12/22) 现货市场颗粒急攻大涨逾四成 ( 截稿为止 ) ， DDR2 1Gb eTT 颗粒价格自 0.6 美元上涨至 0.89 美元，涨幅达 48.3% ，而 DDR2 667Mhz 1Gb 颗粒亦从 0.58 美元上涨至 0.78 美元，涨幅亦达 34.5% 。

NVIDIA 10 月推出全新 Intel 平台 IGP 产品 MCP7A 、 MCP79 晶片组，由于规格及效能表现出众受到市场好评，为了进一步扩大市场广度， NVIDIA 正游说厂商採用 MCP7A 、 MCP79 配搭 Intel Atom 处理器，以强劲绘图效能作招徕，抢佔 Netbook 、 Nettop 晶片组市场。

为了让 MCP7A 、 MCP79 晶片组能赶上 Netbook 、 Nettop 火热商机， NVIDIA 平台事业部总经理 Drew Henry 上週前往台湾，游说各大台湾 PC 业者使用 MCP7A 、 MCP79 配搭 Atom 解决方案。

据 Drew Henry 表示， Intel Atom 是一颗低成本、低功耗、高性价比的处理器，只可惜搭配效能普通、并採用两晶片设计的 945GSE 、 945GC 晶片组，令 Atom 处理器发展空间被严重压缩。因此， NVIDIA 希望厂商们可考虑改配 MCP7A 、 MCP79 晶片组，进一步提升 Netbook 、 Nettop 绘图能力，就算是高画质影像播放及主流 3D 游戏亦能轻鬆应付。

继 Gainward 后再有 NV Only 厂商背叛 NVIDIA ，被喻为「深绿」的 XFX 17 日宣佈投进 AMD 怀抱，推出 Radeon HD 系列绘图卡，首波出货为 Radeon HD 4850 、 4870 。有绘图卡业者表示， NVIDIA 在过去数年处于强势，其实令不少厂商苦不堪言，现在 AMD 产品气势拉升，不少 AIC 厂商均在考虑由 NV Only 转为 NA 通吃的可能性，绘图卡市场将有另一番局面。

据松景科技主席兼执行长 Michael Chiu 表示，非常荣幸成为 AMD 的合作伙伴之一，未来松景将会以 XFX 品牌推出採用 ATI 绘图晶片的绘图卡产品，透过 XFX 强大的研发团队，我们深信将为全球游戏玩家带来更优秀的选择。

AMD 资深副总裁暨绘图产品事业群总经理 Rick Bergmen 表示， XFX 是绘图卡市场上着名的游戏玩家品牌，提供极致效能的绘图卡产品并大受好评， AMD 深信 XFX 将可进一步扩大 Radeon HD 在高阶玩家市场的佔有率。

Intel 10 日宣佈已完成新一代 32 奈米制程开发，并会于下週在美国旧金山举办的国际电子元件会议 (International Electron Devices meeting, IEDM) 中，进行简报公佈更多与 32nm 製程相关的技术细节，根据 Intel 最新规划， 32 奈米技术将会于 2009 年第四季正式导入， 提供更大更大能源效率、更高密度、效能更强的处理器产品。

Intel 依既定时程完成 32nm 製程开发与投产准备，意味着该公司依循其「 tick-tock 」策略，准时推出一系列更具企图心的新产品和先进製程，按照计划将会在 1 年内完成制程交替。

据了解， Intel 32nm 论文与简报所描述的技术将包括第二代 high-k 、金属闸极技术、重要图层 (patterning layers) 採用 193nm 沉浸式微影技术 (immersion lithography) 、以及强化电晶体应变 (strain) 技术，这些技术可强化 Intel 处理器的时脉与能源效率，而且 Intel 32nm 技术所产出的电晶体效能和电晶体密度也超过业界公佈的任何 32nm 技术。